نوع جدیدی از فناوری حافظه رایانهای که در آستانه تولید قرار گرفتهاست، سرعتی هزار برابر سریعتر از حافظهی فلش Nand دارد که در تمامی کارتهای حافظه مورد استفاده قرار میگیرند. براساس گزارش BBC، این نوآوری جدید D XPoint 3نام دارد که در واقع می تواند هم به عنوان حافظه اصلی دستگاه مورد استفاده قرار گیرد و هم نقش حافظه فرار یا همان RAM را داشته باشد. به کلامی ساده تر، کراس پوینت سه بعدی می تواند نقش رم و درایو SSD موجود در لپ تاپ شما را به شکل یکجا بازی کند. این تکنولوژی ابداع شركتهای اینتل و میكرون به شمار میرود . آنها اذعان دارند تکنولوژی جدیدی که به آن دست یافته اند، انقلابی ترین دستاورد در زمینه چیپ های حافظه پس از دست یافتن به فلش های NAND در سال ۱۹۸۹ بوده است. این دو شركت آمریكایی برای نسل جدید حافظههای رایانهای طیف گستردهای از كاراییها را، از سرعت گرفتن پژوهشهای علمی گرفته تا ساخت بازیهای رایانهای حرفهای، پیشبینی میكنند. قرار نیست این حافظه جایگزینی برای حافظههای فلش یا RAMها باشد بلكه قرار است در كنار این قطعات قرار گرفته و بخش خاصی از اطلاعات را نزدیكتر به پردازشگردها حفظ كند تا امكان دسترسی سریعتر به آنها فراهم آید. سرعت بالای حافظه به واسطه توسعه یافتن تلاشها در زمینههای مختلف علم و فناوری به امری حیاتی تبدیل شدهاند، برای مثال توالینویسی ژنوم كه سنگ بنای طب مدرن و درمانهای شخصیسازیشده خواهد بود، به سرعت پردازش و ذخیرهسازی بالای حافظههای اینترنتی نیاز دارد تا سرعت عمل دانشمندان در این زمینه افزایش پیدا كند. ضریب اطمینان کراس پوینت بسیار بالاست و سرعت آن نیز هزار برابر بیشتر از حافظه های NAND است؛ چه در هنگام خواندن و چه در هنگام نوشتن. نکته ی جالب تر اینکه تراکم اجزای داخلی کراس پوینت تا ده برابر بیشتر است؛ به معنای آنکه اگر شرکت ها بخواهند یک درایو حافظه جدید در ابعاد همان SSD های سابق را به تولید برسانند، می توانند فضایی ده برابری را در اختیار داشته باشند نام عجیب این حافظه پرسرعت به ساختار چندلایه ای و سهبعدیاش بازمیگردد. در هر لایه، سیمها در موازات با یكدیگر و در زاویهای مناسب نسبت به سیمهای لایه زیرین قرار گرفتهاند. در میان هر لایه ستونهای میكروسكوپی عمودی قرار دارند كه نقاط تقاطع سیمها را به یكدیگر متصل میكنند. هریك از این ستونها حاوی تك سلول حافظه با توانایی ذخیره یك بیت داده، و یك انتخابگر كه امكان خوانده شدن و یا نوشته شدن یك سلول حافظه را فراهم میآورد هستند. دسترسی در این واحد مبتنی بر میزان ولتاژ است كه از طریق سیمها دریافت میكند. مشخصا استفاده از تکنولوژی D XPoint 3، سرعت عمل کامپیوتر را به شکل فوق العاده ای افزایش خواهد داد؛ بخصوص در زمینه ی گیمینگ، داده های فراوانی می توانند به شکل همزمان لود شوند. از سوی دیگر، کاربرانی که به واسطه ی نوع کار خود با کامپیوتر، نیاز به بالاترین سرعت عمل دارند نیز می توانند از دستاورد جدید اینتل نهایت استفاده را ببرند. این حافظهها برخلاف حافظههای فلش به ترانزیستور نیازی ندارند و نحوه ثبت اطلاعات روی آنها به واسطه تغییر خواص مادهای است كه سلولهای حافظه را ساخته، داشتن مقاومت شدید در برابر جریان برق نشانگر یك و كاهش مقاومت در برابر جریان برق نشانگر صفر خواهدبود. به اینشكل هریك از سلولهای حافظه به صورت انفرادی قابل دسترسی خواهند بود و سرعت حافظه افزایش خواهدیافت. این ویژگی همچنین طول عمر حافظهها را نیز نسبت به حافظههای Nand افزایش خواهدداد. همه ی اینها در حالی هستند که اینتل و Micron موفق گشته اند پایداری، مصرف انرژی پایین و هزینه اندک ساخت فلش های NAND را در فناوری جدیدشان نیز حفظ کنند. Mark Durcan، مدیر عامل کمپانی Micron می گوید: «امیدواریم تکنولوژی جدید را با D Flash 3 که در آخرین درایو های ساخته شده توسط کمپانی ما به کار رفته را اشتباه نگیرید؛ D XPoint 3 به طور کلی یک کلاس جدید در زمینه چیپ های حافظه است.» بنا به گفته های نائب رییس اینتل، Rob Crooke، حافظه های جدید از طریق درگاه PCI Express یا همان PCIe، قابلیت اتصال به کامپیوترهای فعلی را دارند. البته این نکته را نیز باید در نظر گرفت که PCIe های فعلی، توان استفاده از همه ی نیروی D XPoint 3 را ندارد و در آینده باید چاره ای برای همین مشکل اندیشیده شود. در نقطه فعلی، به نظر می رسد راهکار در دست متحول نمودن معماری مادربردها باشد. مشخصا استفاده از تکنولوژی D XPoint 3، سرعت عمل کامپیوتر را به شکل فوق العاده ای افزایش خواهد داد؛ بخصوص در زمینه ی گیمینگ، داده های فراوانی می توانند به شکل همزمان لود شوند. از سوی دیگر، کاربرانی که به واسطه ی نوع کار خود با کامپیوتر، نیاز به بالاترین سرعت عمل دارند نیز می توانند از دستاورد جدید اینتل نهایت استفاده را ببرند. مقامات اینتل اذعان دارند که D XPoint 3 ،نتیجه ی سال ها پژوهش و تحقیق در زمینه توسعه چیپ های حافظه بوده و نحوه ذخیره سازی داده ها در آن نیز به شکل کامل از نوع معماری متفاوتی با نمونه های NAND بهره می گیرد.